IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
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Technische Details IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IDM10G120C5XTMA1 nach Preis ab 2.55 EUR bis 7.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IDM10G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM10G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM10G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM10G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V |
auf Bestellung 3907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM10G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
auf Bestellung 3226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM10G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IDM10G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 186+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.77 EUR |
| 1000+ | 2.55 EUR |
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 186+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.77 EUR |
| 1000+ | 2.55 EUR |
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 6.41 EUR |
| 35+ | 4.14 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| 2500+ | 2.63 EUR |
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 3907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.39 EUR |
| 10+ | 4.88 EUR |
| 100+ | 3.46 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
auf Bestellung 3226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.48 EUR |
| 10+ | 4.75 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 3.01 EUR |
| 2500+ | 2.82 EUR |
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDM10G120C5XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2126 Stücke:
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