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IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

infineon-idm10g120c5-datasheet-cn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+3.34 EUR
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Technische Details IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote IDM10G120C5XTMA1 nach Preis ab 2.86 EUR bis 12.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4.07 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.15 EUR
34+5.3 EUR
50+4.64 EUR
100+3.92 EUR
500+3.34 EUR
2500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.15 EUR
34+5.18 EUR
50+4.47 EUR
100+3.7 EUR
500+3.08 EUR
2500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon_idm10g120c5_datasheet_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
auf Bestellung 4322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
10+5.05 EUR
100+4.58 EUR
500+4.02 EUR
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-cn.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 17476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
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50+5.14 EUR
100+4.68 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 175 Stücke:
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21+12.22 EUR
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Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
164+4.07 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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100+3.92 EUR
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Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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50+4.47 EUR
100+3.7 EUR
500+3.08 EUR
2500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+5.05 EUR
100+4.58 EUR
500+4.02 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+9.89 EUR
10+6.57 EUR
50+5.14 EUR
100+4.68 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.22 EUR
40+5.84 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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