Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM10G120C5XTMA1
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IDM10G120C5XTMA1 nach Preis ab 3.03 EUR bis 9.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.96 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.63 EUR
35+4.93 EUR
100+3.71 EUR
500+3.25 EUR
2500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 3907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.12 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDM10G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
auf Bestellung 3226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.65 EUR
100+4.19 EUR
500+3.58 EUR
2500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.82 EUR
39+6.06 EUR
100+3.96 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+3.52 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.96 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.63 EUR
35+4.93 EUR
100+3.71 EUR
500+3.25 EUR
2500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 3907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.12 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 Infineon_IDM10G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
auf Bestellung 3226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.9 EUR
10+5.65 EUR
100+4.19 EUR
500+3.58 EUR
2500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.82 EUR
39+6.06 EUR
100+3.96 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH