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IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

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Technische Details IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3853 Stücke:
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30+5.03 EUR
50+4.82 EUR
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
auf Bestellung 3835 Stücke:
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Anzahl Preis
3+7.87 EUR
10+5.22 EUR
100+3.71 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDM10G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361939.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
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1+8.08 EUR
10+5.39 EUR
25+5.37 EUR
100+3.84 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.15 EUR
2500+3.06 EUR
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3200 Stücke:
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-ds-v02_00-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDM10G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 4µA
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 223W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDM10G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 4µA
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 223W
Produkt ist nicht verfügbar
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