IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.62 EUR |
| 10+ | 15.96 EUR |
| 240+ | 12.52 EUR |
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Technische Details IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDW24G65C5BXKSA2 nach Preis ab 10.56 EUR bis 18.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IDW24G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDW24G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW24G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IDW24G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW24G65C5B THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |