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IDW24G65C5BXKSA2

IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies


Infineon-IDW24G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44b312b44906 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
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Technische Details IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IDW24G65C5BXKSA2 nach Preis ab 10.56 EUR bis 18.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDW24G65C5B_DS_v02_00_EN-1226642.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001299189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idw24g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IDW24G65C5BXKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDW24G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44b312b44906 IDW24G65C5B THT Schottky diodes
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