IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 29+ | 5.16 EUR |
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Technische Details IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 42nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDW30G65C5XKSA1 nach Preis ab 6.93 EUR bis 18.92 EUR
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 42nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW30G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; PG-TO247-3; 150W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 139A Leakage current: 6.1µA Power dissipation: 150W Kind of package: tube |
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