IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.23 EUR |
| 10+ | 20.75 EUR |
| 100+ | 17.3 EUR |
| 480+ | 14.6 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 55nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDW40G65C5XKSA1 nach Preis ab 12.83 EUR bis 30.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 40A Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 3784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IDW40G65C5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Current - Average Rectified (Io): 40A
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Current - Average Rectified (Io): 40A
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 3784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.29 EUR |
| 30+ | 16.6 EUR |
| 120+ | 14.26 EUR |
| 510+ | 12.83 EUR |
| IDW40G65C5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 30.51 EUR |
| 11+ | 22.62 EUR |
| 14+ | 15.61 EUR |
| 50+ | 14.59 EUR |
| 100+ | 13.55 EUR |
| IDW40G65C5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.8 EUR |
| 10+ | 23.03 EUR |




