IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDW40G65C5XKSA1 nach Preis ab 22.76 EUR bis 29.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IDW40G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW40G65C5 THT Schottky diodes |
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