Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IDW40G65C5XKSA1
IDW40G65C5XKSA1

IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies


IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
auf Bestellung 1318 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.04 EUR
30+11.34 EUR
120+9.85 EUR
510+9.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 55nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IDW40G65C5XKSA1 nach Preis ab 10.44 EUR bis 20.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDW40G65C5_DS_v02_02_en-1731513.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.24 EUR
25+12.25 EUR
100+10.49 EUR
240+10.47 EUR
480+10.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 Hersteller : INFINEON 1849665.pdf Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Case: PG-TO247-3
Load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Leakage current: 8.2µA
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. forward impulse current: 153A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 112W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Case: PG-TO247-3
Load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Leakage current: 8.2µA
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. forward impulse current: 153A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 112W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH