Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IDW80C65D1XKSA1
IDW80C65D1XKSA1

IDW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IDW80C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a529d447a5287 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IDW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 77 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote IDW80C65D1XKSA1 nach Preis ab 7.67 EUR bis 10.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IDW80C65D1XKSA1 IDW80C65D1XKSA1 Hersteller : INFINEON 2354570.pdf Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 77ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IDW80C65D1XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDW80C65D1-DS-v02_01-EN-1226668.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.4 EUR
10+ 9.36 EUR
25+ 8.66 EUR
100+ 7.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IDW80C65D1XKSA1 IDW80C65D1XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDW80C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a529d447a5287 Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar