IDWD100E65E7XKSA1 Infineon Technologies
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| 10+ | 3.64 EUR |
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Technische Details IDWD100E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE STD 650V 150A PGTO24722, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 98 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDWD100E65E7XKSA1 nach Preis ab 3.65 EUR bis 6.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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IDWD100E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE STD 650V 150A PGTO24722Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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| IDWD100E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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