
IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.89 EUR |
10+ | 7.16 EUR |
25+ | 6.39 EUR |
100+ | 4.98 EUR |
240+ | 4.75 EUR |
480+ | 4.73 EUR |
5040+ | 4.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDWD10G120C5XKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDWD10G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
IDWD10G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
IDWD10G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
IDWD10G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |