
IDWD150E65E7XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 97 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 256 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IDWD150E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 97 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDWD150E65E7XKSA1 nach Preis ab 4.33 EUR bis 9.61 EUR
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IDWD150E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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