IDWD30G120C5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDWD30G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 154nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDWD30G120C5XKSA1 nach Preis ab 10.37 EUR bis 22.40 EUR
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 87A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 0.24kA Power dissipation: 332W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDWD30G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 0.24kA Power dissipation: 332W |
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