IDWD50E65E7XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.72 EUR |
| 10+ | 3.96 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 240+ | 3.01 EUR |
| 480+ | 2.83 EUR |
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Technische Details IDWD50E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Durchlassstoßstrom: 228A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.1V, Sperrverzögerungszeit: 94ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDWD50E65E7XKSA1 nach Preis ab 4.16 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IDWD50E65E7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 228A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 94ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
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