IDWD50E65E7XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.72 EUR |
| 10+ | 3.96 EUR |
| 100+ | 3.20 EUR |
| 240+ | 3.01 EUR |
| 480+ | 2.83 EUR |
| 1200+ | 2.43 EUR |
| 2640+ | 2.29 EUR |
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Technische Details IDWD50E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 94 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 92A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDWD50E65E7XKSA1 nach Preis ab 4.16 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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| IDWD50E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
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