IGB110S101XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
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Technische Details IGB110S101XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.4nC, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGB110S101XTMA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 6.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IGB110S101XTMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs MV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 1860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB110S101XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.4nC Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGB110S101XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
GaN FETs MV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2500+ | 1.34 EUR |
| 5000+ | 1.18 EUR |
| IGB110S101XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.15 EUR |
| 49+ | 4.81 EUR |
| 100+ | 3.58 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| 5000+ | 2.76 EUR |