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IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies

Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 45142449-5
Price: 145.95 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R

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Technische Details IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Weitere Produktangebote IGB110S101XTMA1 nach Preis ab 0.92 EUR bis 5.27 EUR

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IGB110S101XTMA1

Infineon Technologies

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INFINEON

Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
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Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

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Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN

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GaN FETs MV GAN DISCRETES

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INFINEON

Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolGaN G3 Series
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

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Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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