IGB110S101XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IGB110S101XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.4nC, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGB110S101XTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGB110S101XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 3.4nC rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 100V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |