IGB110S10S1XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.88 EUR |
| 102+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
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Technische Details IGB110S10S1XTMA1 INFINEON
Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-TSON-4-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IGB110S10S1XTMA1 nach Preis ab 1.25 EUR bis 6.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IGB110S10S1XTMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm |
auf Bestellung 1332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB110S10S1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.4nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGB110S10S1XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.21 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 2500+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.25 EUR |
| IGB110S10S1XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
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Produktpalette: CoolGaN Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.15 EUR |
| 49+ | 4.81 EUR |
| 100+ | 3.58 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |