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IGB15N60TATMA1

IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Technische Details IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IGB15N60TATMA1 nach Preis ab 1.33 EUR bis 5.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
44+1.98 EUR
50+1.74 EUR
55+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies infineonigb15n60tdatasheetv0206en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.21 EUR
82+2.11 EUR
119+1.42 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.4 EUR
5000+1.33 EUR
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IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON 2332236.pdf Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
76+3.08 EUR
113+1.9 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.5 EUR
44+1.98 EUR
50+1.74 EUR
55+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IGB15N60TATMA1 infineonigb15n60tdatasheetv0206en.pdf
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
auf Bestellung 1372 Stücke:
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1+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
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1000+1.48 EUR
2000+1.4 EUR
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IGB15N60TATMA1 IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
IGB15N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
76+3.08 EUR
113+1.9 EUR
500+1.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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