
IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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Technische Details IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 130 W.
Weitere Produktangebote IGB15N60TATMA1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 3.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A |
auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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