IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 1.18 EUR |
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Technische Details IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IGB15N60TATMA1 nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W |
auf Bestellung 1057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB15N60TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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