IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 37+ | 1.97 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 53+ | 1.36 EUR |
| 56+ | 1.29 EUR |
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Technische Details IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 690µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Weitere Produktangebote IGB20N60H3ATMA1 nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.70 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES 14 |
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