IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
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Technische Details IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 690µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Weitere Produktangebote IGB20N60H3ATMA1 nach Preis ab 1.54 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
auf Bestellung 1956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
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IGB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
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