IGB20N65S5ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.22 EUR |
| 106+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
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Technische Details IGB20N65S5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 125W, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 40A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote IGB20N65S5ATMA1 nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGB20N65S5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.4 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 2000+ | 1.31 EUR |
| IGB20N65S5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 47+ | 5.4 EUR |
| 72+ | 3.22 EUR |
| 106+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |