| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.7 EUR |
| 10+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 2000+ | 1.12 EUR |
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Technische Details IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 125W, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 40A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote IGB20N65S5ATMA1 nach Preis ab 1.88 EUR bis 4.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IGB20N65S5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 125W Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGB20N65S5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.31 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| IGB20N65S5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IGB20N65S5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Verlustleistung Pd: 125W
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
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Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)