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Technische Details IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 125W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 40A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IGB20N65S5ATMA1 nach Preis ab 1.86 EUR bis 4.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W |
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
5 high speed soft switching IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 28A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 137ns Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W |
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IGB20N65S5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 28A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 137ns |
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