Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB50N60TATMA1
IGB50N60TATMA1

IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies

42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

Weitere Produktangebote IGB50N60TATMA1 nach Preis ab 3.9 EUR bis 11.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+4.14 EUR
2000+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 3083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.01 EUR
10+ 6.72 EUR
100+ 5.44 EUR
500+ 4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+11.75 EUR
10+ 9.85 EUR
25+ 9.52 EUR
100+ 7.98 EUR
250+ 7.54 EUR
500+ 7.1 EUR
1000+ 6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+11.91 EUR
18+ 8.38 EUR
50+ 7.16 EUR
100+ 6.46 EUR
200+ 5.86 EUR
500+ 5.22 EUR
1000+ 4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar