IGB50N60TATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.81 EUR |
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Technische Details IGB50N60TATMA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Weitere Produktangebote IGB50N60TATMA1 nach Preis ab 3.81 EUR bis 10.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB50N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 90A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGB50N60TATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.44 EUR |
| 50+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 5.45 EUR |
| 500+ | 4.82 EUR |
| IGB50N60TATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.2 EUR |
| 10+ | 6.76 EUR |
| 100+ | 4.84 EUR |
| 500+ | 4.36 EUR |
| 1000+ | 3.89 EUR |
| IGB50N60TATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 25+ | 10.25 EUR |
| 37+ | 6.35 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.81 EUR |