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IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2000+2.31 EUR
3000+2.23 EUR
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Technische Details IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 270 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.09 EUR
44+4.06 EUR
100+2.88 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.09 EUR
44+3.97 EUR
100+2.77 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon_igb50n65s5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.55 EUR
100+3.19 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.48 EUR
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
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3+7.2 EUR
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100+3.28 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.34 EUR
46+5.06 EUR
100+3.26 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGB50N65S5ATMA1 2619562.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 522 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.09 EUR
44+4.06 EUR
100+2.88 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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AnzahlPrivatkunde
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10+4.55 EUR
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IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.2 EUR
10+4.7 EUR
100+3.28 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 522 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
30+8.34 EUR
46+5.06 EUR
100+3.26 EUR
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IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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