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IGC025S08S1XTMA1

IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies

infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.99 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+4.11 EUR
20000+3.71 EUR
30000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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39+4.55 EUR
41+4.24 EUR
43+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC025S08S1_DataSheet_v01_01_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
auf Bestellung 8856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.46 EUR
100+3.86 EUR
500+3.31 EUR
2500+3.19 EUR
5000+3.03 EUR
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
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3+8.43 EUR
10+5.55 EUR
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100+3.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10 EUR
40+5.87 EUR
100+3.99 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 86A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1971 Stücke:
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GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
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AnzahlPrivatkunde
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10+5.46 EUR
100+3.86 EUR
500+3.31 EUR
2500+3.19 EUR
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
auf Bestellung 6962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.43 EUR
10+5.55 EUR
50+4.32 EUR
100+3.92 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10 EUR
40+5.87 EUR
100+3.99 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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