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IGC033S101XTMA1

IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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Technische Details IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-VSON-6-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC033S101_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
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Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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IGC033S101XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 112 Stücke:
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37+4.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IGC033S101XTMA1
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Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.08 EUR
37+4.76 EUR
100+3.63 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GaN FETs MV GAN DISCRETES
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1+8.29 EUR
10+5.46 EUR
100+3.86 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.08 EUR
5000+2.81 EUR
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Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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3+8.43 EUR
10+5.55 EUR
50+4.32 EUR
100+3.92 EUR
500+3.34 EUR
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IGC033S101XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 112 Stücke:
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