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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.42 EUR |
| 10+ | 4.38 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
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| 5000+ | 2.38 EUR |
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Technische Details IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGC033S10S1XTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IGC033S10S1XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGC033S10S1XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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