
IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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1+ | 6.02 EUR |
10+ | 4.51 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
500+ | 3.24 EUR |
1000+ | 2.78 EUR |
2500+ | 2.69 EUR |
5000+ | 2.68 EUR |
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Technische Details IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 10nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IGC037S12S1XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 10nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGC037S12S1XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
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