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IGC037S12S1XTMA1

IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies


Infineon_IGC037S12S1_DataSheet_v01_01_EN-3572890.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
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Technische Details IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 10nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
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IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
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