IGD70R200D2SAUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.57 EUR |
| 10+ | 2.29 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2500+ | 0.98 EUR |
| 5000+ | 0.97 EUR |
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Technische Details IGD70R200D2SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.3nC, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IGD70R200D2SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.3nC Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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