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IGI60L2727B1MXUMA1

IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies


infineon_igi60l2727b1m_datasheet_en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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Technische Details IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies

Gate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.