IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesGate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 6.42 EUR |
| 25+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 5.35 EUR |
| 250+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 4.8 EUR |
| 1000+ | 4.08 EUR |
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Technische Details IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies
Gate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.