IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.78 EUR |
| 10+ | 8.63 EUR |
| 100+ | 6.43 EUR |
| 1000+ | 6.12 EUR |
| 3000+ | 5.46 EUR |
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Technische Details IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.

