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IGI65D1414A3MSXUMA1

IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

infineon-igi65d1414a3ms-datasheet-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
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Technische Details IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.