IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesGaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
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Technische Details IGI65D1414A3MSXUMA1 Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration.