IGK120B041SXTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.26 EUR |
| 10+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2000+ | 0.67 EUR |
| 4000+ | 0.52 EUR |
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Technische Details IGK120B041SXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.4nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: UFWLB, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: CoolGaN BDS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Weitere Produktangebote IGK120B041SXTSA1 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IGK120B041SXTSA1 | Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA |
auf Bestellung 3530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGK120B041SXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.4nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UFWLB Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: CoolGaN BDS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
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| IGK120B041SXTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA
Description: GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.31 EUR |
| 15+ | 1.44 EUR |
| 50+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| IGK120B041SXTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolGaN BDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.77 EUR |
| 194+ | 1.2 EUR |
| 219+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |