IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 12.22 EUR |
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Technische Details IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote IGLD60R070D1AUMA3 nach Preis ab 12.51 EUR bis 56.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IGLD60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 1883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLD60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 5.8nC SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 3601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLD60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 5.8nC SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 3601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLD60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLD60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies |
IGLD60R070D1AUMA3 |
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| IGLD60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies |
IGLD60R070D1AUMA3 |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLD60R070D1AUMA3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.32 EUR |
| 10+ | 17.5 EUR |
| 100+ | 14.77 EUR |
| 500+ | 13.51 EUR |
| 1000+ | 12.51 EUR |
| IGLD60R070D1AUMA3 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 3601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 28.14 EUR |
| 11+ | 22.84 EUR |
| 12+ | 18.04 EUR |
| 50+ | 16.6 EUR |
| 100+ | 14.48 EUR |
| 250+ | 14.18 EUR |
| IGLD60R070D1AUMA3 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
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Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 28.14 EUR |
| 11+ | 22.84 EUR |
| 12+ | 18.04 EUR |
| 50+ | 16.6 EUR |
| 100+ | 14.48 EUR |
| 250+ | 14.18 EUR |
| IGLD60R070D1AUMA3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| IGLD60R070D1AUMA3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGLD60R070D1AUMA3
IGLD60R070D1AUMA3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 56.97 EUR |
| 10+ | 49.5 EUR |
| 25+ | 45.32 EUR |
| 100+ | 39.01 EUR |
| 250+ | 35.76 EUR |
| IGLD60R070D1AUMA3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGLD60R070D1AUMA3
IGLD60R070D1AUMA3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 56.97 EUR |
| 10+ | 50.61 EUR |
| 25+ | 47.05 EUR |
| 100+ | 41.19 EUR |
| 250+ | 38.75 EUR |