IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 18.41 EUR |
| 10+ | 16.22 EUR |
| 100+ | 14.02 EUR |
| 500+ | 12.71 EUR |
| 1000+ | 11.66 EUR |
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Technische Details IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote IGLD60R070D1AUMA3 nach Preis ab 13.01 EUR bis 18.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGLD60R070D1AUMA3 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HV GAN DISCRETES |
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IGLD60R070D1AUMA3 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 3685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLD60R070D1AUMA3 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 3685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLD60R070D1AUMA3 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005557209 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGLD60R070D1AUMA3 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
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