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IGLD60R190D1AUMA3

IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies

Infineon-IGLD60R190D1-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a6d78ff5e2aba Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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Technische Details IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies

Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-LSON-8-1, Part Status: Active, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V.

Weitere Produktangebote IGLD60R190D1AUMA3 nach Preis ab 6.18 EUR bis 11.12 EUR

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IGLD60R190D1AUMA3 IGLD60R190D1AUMA3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGLD60R190D1_DataSheet_v02_13_EN-3362239.pdf MOSFET HV GAN DISCRETES
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IGLD60R190D1AUMA3 IGLD60R190D1AUMA3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGLD60R190D1-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a6d78ff5e2aba Description: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
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Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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