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IGLD60R190D1AUMA3

IGLD60R190D1AUMA3 INFINEON

2921004.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Technische Details IGLD60R190D1AUMA3 INFINEON

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+9.65 EUR
100+7.77 EUR
500+6.89 EUR
1000+5.57 EUR
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