IGLD65R055D2AUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 10.24 EUR |
| 10+ | 7.5 EUR |
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| 500+ | 5.39 EUR |
| 1000+ | 4.61 EUR |
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Technische Details IGLD65R055D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGLD65R055D2AUMA1 nach Preis ab 5.09 EUR bis 10.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IGLD65R055D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V |
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IGLD65R055D2AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGLD65R055D2AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLD65R055D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cool GaN Enhancement-mode Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGLD65R055D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |