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IGLD65R080D2AUMA1

IGLD65R080D2AUMA1 Infineon Technologies


Infineon_IGLD65R080D2_DataSheet_v01_00_EN-3555291.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
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Technische Details IGLD65R080D2AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 Hersteller : INFINEON 4508763.pdf Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 18A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 Hersteller : INFINEON 4508763.pdf Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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IGLD65R080D2AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igld65r080d2-datasheet-v01_00-en.pdf Cool GaN Enhancement-mode Power Transistor
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