IGLD65R080D2AUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 7.73 EUR |
| 10+ | 6.2 EUR |
| 100+ | 5 EUR |
| 500+ | 4.45 EUR |
| 1000+ | 4.31 EUR |
| 3000+ | 3.66 EUR |
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Technische Details IGLD65R080D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGLD65R080D2AUMA1 nach Preis ab 3.99 EUR bis 8.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IGLD65R080D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: HV GAN DISCRETESPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-2 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V |
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IGLD65R080D2AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGLD65R080D2AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLD65R080D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cool GaN Enhancement-mode Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGLD65R080D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-2 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |