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IGLR60R340D1XUMA1

IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON

3974487.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.08 EUR
500+4.15 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 1.2nC, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.

Weitere Produktangebote IGLR60R340D1XUMA1 nach Preis ab 3.71 EUR bis 12.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLR60R340D1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185348590703513 Description: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.58 EUR
10+7.03 EUR
100+5.03 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.92 EUR
2000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLR60R340D1-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+7.2 EUR
100+5.32 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.46 EUR
5000+4.19 EUR
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Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
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31+7.68 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
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MOSFETs HV GAN DISCRETES
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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