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| 500+ | 4.38 EUR |
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Technische Details IGLR60R340D1XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.2nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CollGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGLR60R340D1XUMA1 nach Preis ab 3.39 EUR bis 9.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IGLR60R340D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: GAN HVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V |
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IGLR60R340D1XUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGLR60R340D1XUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGLR60R340D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IGLR60R340D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGLR60R340D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V |
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