auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.84 EUR |
| 10+ | 3.82 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.5 EUR |
| 1000+ | 2.25 EUR |
| 5000+ | 1.97 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGLR65R140D2XUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR65R140D2XUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.8nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |