IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.83 EUR |
| 10+ | 3.82 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |
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Technische Details IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Weitere Produktangebote IGLR65R140D2XUMA1 nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGLR65R140D2XUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 4511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
auf Bestellung 4809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 13A |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGLR65R140D2XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.9 EUR |
| 10+ | 3.87 EUR |
| 100+ | 2.71 EUR |
| 500+ | 2.22 EUR |
| 2500+ | 2.08 EUR |
| 5000+ | 1.88 EUR |
| IGLR65R140D2XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
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| IGLR65R140D2XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Drainstrom Id: 13A
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 13A
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