IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
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Technische Details IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Weitere Produktangebote IGLR65R200D2XUMA1 nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V |
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IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 9.2A |
auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 1.97 EUR |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 73+ | 2.01 EUR |
| 88+ | 1.64 EUR |
| 89+ | 1.59 EUR |
| 104+ | 1.34 EUR |
| 250+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 73+ | 2.01 EUR |
| 88+ | 1.61 EUR |
| 89+ | 1.53 EUR |
| 104+ | 1.27 EUR |
| 250+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 3000+ | 0.98 EUR |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.29 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2500+ | 1.41 EUR |
| 5000+ | 1.24 EUR |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
auf Bestellung 6632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.29 EUR |
| 10+ | 2.77 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 3705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IGLR65R200D2XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
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usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
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