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IGLR65R200D2XUMA1

IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies

infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Weitere Produktangebote IGLR65R200D2XUMA1 nach Preis ab 1.17 EUR bis 5.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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5000+1.64 EUR
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IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 INFINEON 4421069.pdf Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 3705 Stücke:
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100+2.19 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.73 EUR
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IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
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73+2.39 EUR
88+1.95 EUR
89+1.89 EUR
104+1.59 EUR
250+1.56 EUR
500+1.37 EUR
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IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
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250+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLR65R200D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
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1+5.11 EUR
10+3.12 EUR
100+2.23 EUR
500+1.86 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
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4+5.28 EUR
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IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 INFINEON 4421069.pdf Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
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Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
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500+1.37 EUR
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Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
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10+3.4 EUR
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Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
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AnzahlPrivatkunde
45+5.68 EUR
71+3.27 EUR
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500+1.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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