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IGLR70R200D2SXUMA1

IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
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Technische Details IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
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IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
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IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies Infineon_03-25-2025_DS_IGLR70R200D2S_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
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IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies infineon-iglr70r200d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
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IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
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Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
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