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IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

Name: IGLR70R200D2SXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 42828172-5
Price: 145.00 EUR
Availability: InStock

infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R

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Technische Details IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Weitere Produktangebote IGLR70R200D2SXUMA1 nach Preis ab 0.98 EUR bis 5.43 EUR

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IGLR70R200D2SXUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R

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IGLR70R200D2SXUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

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IGLR70R200D2SXUMA1

Infineon Technologies

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GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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IGLR70R200D2SXUMA1

Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN

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IGLR70R200D2SXUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
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