IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 1.82 EUR |
| 97+ | 1.78 EUR |
| 122+ | 1.38 EUR |
| 250+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.98 EUR |
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Technische Details IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.
Weitere Produktangebote IGLR70R270D2SXUMA1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 4.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R |
auf Bestellung 4971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R270D2SXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 2.39 EUR |
| 96+ | 1.76 EUR |
| 97+ | 1.68 EUR |
| 122+ | 1.29 EUR |
| 250+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.78 EUR |
| 121+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.11 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 2500+ | 1.24 EUR |
| 5000+ | 1.17 EUR |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.19 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 2000+ | 1.29 EUR |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.9 EUR |
| 84+ | 2.78 EUR |
| 121+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |