IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.31 EUR |
| 10+ | 2.11 EUR |
| 100+ | 1.47 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
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Technische Details IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGLR70R270D2SXUMA1 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IGLR70R270D2SXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
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IGLR70R270D2SXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR70R270D2SXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
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