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IGLT65R035D2ATMA1

IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iglt65r035d2-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
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Technische Details IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
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14+13.11 EUR
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500+8.18 EUR
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IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
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IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r035d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
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IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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10+26.44 EUR
13+19.1 EUR
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50+12.27 EUR
100+11.95 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 47A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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AnzahlPrivatkunde
10+26.44 EUR
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