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IGLT65R035D2ATMA1

IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
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Technische Details IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
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IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolGaN G5 Series
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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13+18.22 EUR
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