Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R045D2ATMA1
IGLT65R045D2ATMA1

IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IGLT65R045D2_DataSheet_v01_00_EN-3518088.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.72 EUR
10+8.98 EUR
100+7.48 EUR
500+6.67 EUR
1000+6.27 EUR
1800+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 6nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IGLT65R045D2ATMA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 Hersteller : INFINEON 4421076.pdf Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 Hersteller : INFINEON Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH