IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 3.71 EUR |
| 48+ | 3.02 EUR |
| 49+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 250+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.2 EUR |
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Technische Details IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IGLT65R110D2ATMA1 nach Preis ab 1.94 EUR bis 8.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies |
 Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLT65R110D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLT65R110D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.4nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IGLT65R110D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.4nC Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGLT65R110D2ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 3.71 EUR |
| 48+ | 2.96 EUR |
| 49+ | 2.82 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| 250+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 2.03 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| IGLT65R110D2ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.15 EUR |
| 10+ | 4.51 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1800+ | 2.43 EUR |
| IGLT65R110D2ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.25 EUR |
| 10+ | 5.45 EUR |
| 100+ | 3.85 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
| IGLT65R110D2ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IGLT65R110D2ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)