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IGLT65R110D2ATMA1

IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies

infineoniglt65r110d2datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1760 Stücke:
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Technische Details IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Weitere Produktangebote IGLT65R110D2ATMA1 nach Preis ab 2.62 EUR bis 10.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r110d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 16-Pin HDSOP EP T/R
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52+3.36 EUR
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IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON 4421074.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1073 Stücke:
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500+3.53 EUR
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IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLT65R110D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
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500+3.42 EUR
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IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r110d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
auf Bestellung 691 Stücke:
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3+8.65 EUR
10+5.7 EUR
50+4.44 EUR
100+4.03 EUR
500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON 4421074.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1073 Stücke:
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25+10.25 EUR
39+6.01 EUR
100+4.12 EUR
500+3.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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GaN FETs HV GAN DISCRETES
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IGLT65R110D2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
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10+5.7 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.25 EUR
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