Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IGOT60R070D1AUMA3
IGOT60R070D1AUMA3

IGOT60R070D1AUMA3 Infineon Technologies


Infineon_IGOT60R070D1_DataSheet_v02_14_EN-3107367.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.91 EUR
10+15.28 EUR
25+15.24 EUR
50+15.22 EUR
100+12.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IGOT60R070D1AUMA3 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IGOT60R070D1AUMA3 nach Preis ab 12.33 EUR bis 23.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DataSheet-v02_13-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 Description: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.11 EUR
10+16.21 EUR
100+12.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 Hersteller : INFINEON 3295919.pdf Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 Hersteller : INFINEON 3295919.pdf Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igot60r070d1-datasheet-v02_14-en.pdf SP005557207
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DataSheet-v02_13-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 Description: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH