| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.9 EUR |
| 10+ | 8.68 EUR |
| 500+ | 7.77 EUR |
| 800+ | 6.87 EUR |
| 2400+ | 6.7 EUR |
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Technische Details IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm.
Weitere Produktangebote IGOT65R045D2AUMA1 nach Preis ab 9.38 EUR bis 18.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IGOT65R045D2AUMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGOT65R045D2AUMA1 | INFINEON |
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| IGOT65R045D2AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
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Produktpalette: CoolGaN G5 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.97 EUR |
| 16+ | 14.83 EUR |
| 20+ | 11.09 EUR |
| 50+ | 10.34 EUR |
| 100+ | 9.58 EUR |
| 250+ | 9.38 EUR |
| IGOT65R045D2AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
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Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
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| 14+ | 18.97 EUR |
| 16+ | 14.83 EUR |
| 20+ | 11.09 EUR |
| 50+ | 10.34 EUR |
| 100+ | 9.58 EUR |
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