| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.38 EUR |
| 10+ | 17.28 EUR |
| 25+ | 16.09 EUR |
| 50+ | 15.37 EUR |
| 100+ | 14.74 EUR |
| 250+ | 14.01 EUR |
| 500+ | 13.39 EUR |
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Technische Details IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 6nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGOT65R045D2AUMA1 nach Preis ab 16.15 EUR bis 25.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IGOT65R045D2AUMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGOT65R045D2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Anzahl der Pins: 20Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGOT65R045D2AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.51 EUR |
| 11+ | 22.3 EUR |
| 12+ | 19.28 EUR |
| 50+ | 17.72 EUR |
| 100+ | 16.66 EUR |
| 250+ | 16.15 EUR |
| IGOT65R045D2AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 25.51 EUR |
| 11+ | 22.3 EUR |
| 12+ | 19.28 EUR |
| 50+ | 17.72 EUR |
| 100+ | 16.66 EUR |
| 250+ | 16.15 EUR |