IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 28+ | 2.59 EUR |
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| 38+ | 1.92 EUR |
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Technische Details IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.
Weitere Produktangebote IGP20N65F5XKSA1 nach Preis ab 1.92 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IGP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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