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IGP20N65F5XKSA1

IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
auf Bestellung 181 Stücke:
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Technische Details IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.

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IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGP20N65F5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4778c5e6c46 Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
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IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IGP20N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Infineon-IGP20N65F5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4778c5e6c46
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IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IGP20N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf IGBTs INDUSTRY 14
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