IGT40R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGT40R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Obsolete, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V.
Weitere Produktangebote IGT40R070D1E8220ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IGT40R070D1E8220ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT40R070D1E8220ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V |
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IGT40R070D1E8220ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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