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IGT60R070D1ATMA1

IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IGT60R070D1-DataSheet-v02_12-EN-1500905.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET GAN HV
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Technische Details IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A, Type of transistor: N-JFET, Technology: CoolGaN™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 31A, Power dissipation: 125W, Case: PG-HSOF-8-3, Gate-source voltage: -10V, On-state resistance: 70mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 5.8nC, Kind of transistor: HEMT, Gate current: 20mA, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igt60r070d1-datasheet-v02_14-en.pdf Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGT60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Kind of transistor: HEMT
Gate current: 20mA
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGT60R070D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016686028dd56526 Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
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IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGT60R070D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016686028dd56526 Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
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IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGT60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Kind of transistor: HEMT
Gate current: 20mA
Pulsed drain current: 60A
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