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IGT60R070D1ATMA4

IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies


Infineon_IGT60R070D1_DataSheet_v02_14_EN-3362139.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HV GAN DISCRETES
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Technische Details IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Active, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V.

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IGT60R070D1ATMA4 IGT60R070D1ATMA4 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGT60R070D1-DataSheet-v02_13-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016686028dd56526 Description: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
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IGT60R070D1ATMA4 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igt60r070d1-datasheet-v02_14-en.pdf Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IGT60R070D1ATMA4 IGT60R070D1ATMA4 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IGT60R070D1-DataSheet-v02_13-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016686028dd56526 Description: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
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Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
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