Weitere Produktangebote IGT60R190D1SATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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| IGT60R190D1SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
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Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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| IGT60R190D1SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IGT60R190D1SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IGT60R190D1SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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| IGT60R190D1SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)