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IGT60R190D1SATMA1

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Produktcode: 192373
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ProductSelectionGuide_GalliumNitride_CoolGaN_emode_HEMTs-SG-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670c286baf30a6 Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGT60R190D1S-DataSheet-v03_12-EN-1500918.pdf MOSFET GAN HV
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IGT60R190D1SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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