IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 55.5W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate current: 7.7mA
Gate charge: 3.2nC
Technology: CoolGaN™
Kind of transistor: HEMT
Pulsed drain current: 23A
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Technische Details IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IGT60R190D1SATMA1 nach Preis ab 11.91 EUR bis 23.84 EUR
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 55.5W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate current: 7.7mA Gate charge: 3.2nC Technology: CoolGaN™ Kind of transistor: HEMT Pulsed drain current: 23A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 Produktcode: 192373
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
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IGT60R190D1SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET GAN HV |
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