IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.59 EUR |
| 10+ | 15.14 EUR |
| 100+ | 12.6 EUR |
| 500+ | 11.25 EUR |
| 1000+ | 10.79 EUR |
| 2000+ | 9.54 EUR |
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Technische Details IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGT65R025D2ATMA1 |
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| IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGT65R025D2ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGT65R025D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
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