IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 8.66 EUR |
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Technische Details IGT65R025D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IGT65R025D2ATMA1 nach Preis ab 9.13 EUR bis 19.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGT65R025D2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |