IGT65R025D2XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 70A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 23.48 EUR |
| 13+ | 17.35 EUR |
| 50+ | 15.74 EUR |
| 100+ | 14.46 EUR |
| 250+ | 14.14 EUR |
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Technische Details IGT65R025D2XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 11nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Weitere Produktangebote IGT65R025D2XTMA1 nach Preis ab 14.14 EUR bis 31.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IGT65R025D2XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 1244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGT65R025D2XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 8+ | 31.42 EUR |
| 10+ | 23.48 EUR |
| 13+ | 17.35 EUR |
| 50+ | 15.74 EUR |
| 100+ | 14.46 EUR |
| 250+ | 14.14 EUR |