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IGT65R035D2ATMA1

IGT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

infineon-igt65r035d2-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 49A 8PSFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details IGT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 650V 49A 8PSFN, Vgs (Max): -10V, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGT65R035D2ATMA1 IGT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGT65R035D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
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IGT65R035D2ATMA1 IGT65R035D2ATMA1 INFINEON 4514737.pdf Description: INFINEON - IGT65R035D2ATMA1 - HV GAN DISCRETES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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IGT65R035D2ATMA1 IGT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r035d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 49A 8-Pin HSOF EP T/R
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