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IGT65R055D2ATMA1

IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
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Technische Details IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm.

Weitere Produktangebote IGT65R055D2ATMA1 nach Preis ab 5.81 EUR bis 16.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-igt65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.91 EUR
10+9.35 EUR
50+7.41 EUR
100+6.78 EUR
500+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R055D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5e99970a26 Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.02 EUR
24+10.02 EUR
100+6.7 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IGT65R055D2ATMA1 IGT65R055D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R055D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5e99970a26 Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.02 EUR
24+10.02 EUR
100+6.7 EUR
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Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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16+16.02 EUR
24+10.02 EUR
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