IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.82 EUR |
| 51+ | 2.84 EUR |
| 52+ | 2.74 EUR |
| 100+ | 2.21 EUR |
| 250+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.85 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| 3000+ | 1.79 EUR |
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Technische Details IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Weitere Produktangebote IGT65R140D2ATMA1 nach Preis ab 1.58 EUR bis 6.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies |
 Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGT65R140D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V |
auf Bestellung 1791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 |
auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGT65R140D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGT65R140D2ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.82 EUR |
| 51+ | 2.78 EUR |
| 52+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 250+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 3000+ | 1.58 EUR |
| IGT65R140D2ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
Description: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.63 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 100+ | 2.58 EUR |
| 500+ | 2.29 EUR |
| IGT65R140D2ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.11 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 2.85 EUR |
| 500+ | 2.41 EUR |
| 2000+ | 2.13 EUR |
| 4000+ | 1.99 EUR |
| IGT65R140D2ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)