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IGT65R140D2ATMA1

IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies

infineonigt65r140d2datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 13A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3970 Stücke:
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Technische Details IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Weitere Produktangebote IGT65R140D2ATMA1 nach Preis ab 2.13 EUR bis 8.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies infineonigt65r140d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 13A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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62+2.76 EUR
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100+2.31 EUR
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tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1334 Stücke:
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100+3.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGT65R140D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 1519 Stücke:
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IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-igt65r140d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 13A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
auf Bestellung 1641 Stücke:
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3+7.41 EUR
10+4.86 EUR
50+3.76 EUR
100+3.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGT65R140D2ATMA1 IGT65R140D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a5ea2f70a2b Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 1334 Stücke:
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31+8.15 EUR
49+4.76 EUR
100+3.26 EUR
500+2.81 EUR
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IGT65R140D2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Description: GANFET N-CH 650V 13A 8PSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
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50+3.76 EUR
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IGT65R140D2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
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