
IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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13+ | 5.91 EUR |
17+ | 4.39 EUR |
18+ | 4.15 EUR |
150+ | 3.99 EUR |
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Technische Details IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IGW25N120H3FKSA1 nach Preis ab 3.75 EUR bis 13.21 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IGW25N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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