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IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
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10+7.14 EUR
100+5.26 EUR
480+4.69 EUR
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IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
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2+11.04 EUR
30+6.24 EUR
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IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON INFNS29742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1531 Stücke:
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21+12.11 EUR
32+7.47 EUR
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500+4.58 EUR
1000+4.5 EUR
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IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon info-tigw25n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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5+12.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
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IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
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Hersteller: Infineon
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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